第1種晶振電路圖：
　　如圖所示，它是一個簡單的 晶振電路圖，由A1的三個柵極，四個電阻，調諧電容器和一個晶體組成。在圖中，A1和晶體諧振器SJT以及電容器構成4069 kHz的方波信號。將開關設置為1點，然后將其發送到A2。將A2除以2后，可獲得2048kHz振蕩信號。開關放置在3點處并發送到A3。將A2除以2后，即可獲得128kHz振蕩信號。調諧電容器C1和C2可以將頻率精確地調諧到中心頻率。晶體SJT連接在A1的輸入和輸出端子之間，以晶體的基頻提供反饋環路。

在圖中，A1和晶體諧振器SJT以及電容器構成4069 kHz的方波信號。將開關設置為1點，然后將其發送到A2。將A2除以2后，可獲得2048kHz振蕩信號。開關放置在3點處并發送到A3。將A2除以2后，即可獲得128kHz振蕩信號。調諧電容器C1和C2可以將頻率精確地調諧到中心頻率。

                                                                           晶振電路圖(1)

　　晶體SJT連接在A1的輸入和輸出端子之間，以提供一個反饋環路，該反饋環路會在晶體的基頻上產生振蕩。

　　第2種晶振電路圖：

　　極管TV2執行信號放大并且通過電容器C8耦合出。其中，電阻器RI，R2以及電阻器R5，R6和R7是晶體管VT1和VT2的DC偏置元件。L2是高頻扼流圈，可為振蕩管VT1的集電極電流提供直流路徑。C2是隔直電容。C3和C7是交流旁路電容器，因此VT1的發射極處于交流零電位，但直流電位不為零。電感器L1，電容器C6和電阻器R3是改進的電源濾波器電路，其作用是降低紋波電壓以振蕩直流分量。電容器C4和C8可以略微調節以改變耦合信號的大小。

　　                                                                                         晶振電路圖(2)

　　1.組件小號選

　　電容器C1為20p，C2為100p，C3和C7為820p，C4為56p，C5和C8為47p，C6為47u / 50V。電感L1為22 uH(色碼電感)，L2為0.3 uH。電阻R1為1.6kΩ，R2為1kΩ，R3為750Ω，R4為180Ω，1W，R5為1.3kΩ，R6為3kΩ，R7為360Ω，R8為470Ω，R9-R12為300Ω，2W。晶體管VT1，VT2選擇3DG82B，65≤β≤115。晶體SJT使用JA9B型-70MHz。繼電器KM是JUC-1M。

　　2. 注意事項

　　(1)使用石英晶體時，必須注意一個實際問題。這是晶體本身的激發功率。當激勵功率大時，輸出功率也大。此時，晶體管引入的噪聲沒有受到很大的影響。但是，過多的晶體激發功率會降低晶體的長期穩定性(老化特性)。當晶體激發功率較小時，長期穩定性良好，但是優選使用低噪聲晶體三極管。

　　(2)由于晶體頻率受溫度的影響很大，為了確保晶體頻率的穩定性，有必要注意晶體的恒溫。將晶體放置在恒溫浴中，并且通過恒溫控制電路維持恒溫浴中的溫度以維持晶體的拐點溫度。因此，為了穩定振蕩頻率和振蕩幅度，將晶體SJT和VT1，VT2放置在培養箱中。孵化器由R9-R12的四個2W金屬膜電阻器加熱，并使用小型密封溫度繼電器KM作為溫度控制元件。盒子內部的溫度為+55°C(所用晶體的拐點溫度通常為+60±5°C)。為了減小培養箱的體積，回路中的組件應盡可能小。如果包裝箱內的溫度高于+55°C，則KM-1.2觸點斷開;如果≤+55°C，則KM-1.2觸點閉合，以確保箱內溫度設置為+55°C。

第3種晶振電路圖：

  
　　                                             晶振電路圖(3)

　　該電路在100kHz至5MHz的頻率范圍內振蕩。工作特性取決于電源電阻。可以使用微調電容器來調節頻率。輸出電阻很高，其后是源極跟隨器作為隔離器以支持該缺點。

　　第4種晶振電路圖：

　　這個簡單且便宜的晶體振蕩器由74LS04的兩個門和外圍組件組成。

　　                                                             晶振電路圖(4)

　　電阻器R1和R2在線性范圍內對兩個反相器F1，F2進行偏置，并提供一個來自晶體SJT的反饋環路，該環路在晶體的基頻上產生20MHz的振蕩頻率，然后由反相器F3發送至74LS74。構造的D型觸發器被分割。要執行兩路或四路，八路等操作，您需要遵循2n分頻規則(n是級數)。n = 1，則分頻為21 = 2，即A1 =分頻電路后為20MHz，Q1輸出10MHz;如果是四分頻，n = 2，則22 = 4的分頻，即20MHz被A1和A2分頻。電路后，Q2輸出5MHz;如果將頻率除以三，則當f的第三個脈沖結束時，Q1 = 1，Q2 = 1，則Q1 = 0，Q2 = 0，或者非門HF1的輸出為1，至R端子重置，將Q1和Q2復位為00。將A1和A2除以3后，Q2輸出約為6.7MHz。如果將頻率除以5，則當計數為5時，Q1Q2Q3 = 101，即Q1 = 0。Q3 = 0，或非門HF2的輸出為1，并且Q1，Q2和Q3重置為000。結果，Q3輸出4MHz頻率。

　　顯然，輸出狀態由D決定，輸出狀態的翻轉由CP控制，CP可以生成適合其需求的各種頻率。

　　第5種晶振電路圖：

使用運算放大器的晶振電路圖。該電路使用輸出脈沖頻率高達10MHz的761運算放大器。2kΩ電阻用作運放輸出級的集電極開路負載。

　　                                                          晶振電路圖(5)

　　第6種晶振電路圖：

帶有晶振的無線電電路。該電路頻率可以為27MHz。中頻為455kHz。為了增加接收功率，此處使用場效應晶體管前級。

                                   

                                                                 晶振電路圖(6)

第7種晶振電路圖：

　　頻率高達4.000MHz的石英晶體振蕩器電路。圖(a)和(b)顯示了兩個4.000MHz振蕩器基本電路。根據電路結構，可以通過測試調整來確定最佳工作點。

　　                                           晶振電路圖(7)

　　第8種晶振電路圖：

　　場效應晶體瞥晶振電路圖。該振蕩器以51.000MHz(17MHz 3次諧波)晶體工作。根據結構的不同，漏極至柵極的電容可以選擇為0.5至1.8 pF。L2參數約為L1的20%。可以通過470Ω的源電阻來改變振蕩特性。

　　                                                        晶振電路圖(8)

　　第9種晶振電路圖：

　　使用NAND門的30MHs晶振電路圖。該電路由TTL集成電路(745000)組成。使用石英晶體頻率的三次諧波操作。精確選擇47pF電容器(10-100pF)可以保證振蕩性能。輸出電壓約為3.5V(峰峰值)。

　　                                                        晶振電路圖(9)

　　第10種晶振電路圖：

　　使用與非門的晶振電路圖。該電路使用兩個7400TTL NAND門，其振蕩頻率高達10MHz。必須小心地將兩個820Ω電阻調諧到選定的振蕩頻率。

　　                                                                      晶振電路圖(10)

　　以上是科琪科技工程師給大家分享的10種常見晶振電路圖，對于不同類型的 晶振電路圖有不同的接法;如果您遇到以上這些電路問題可以進行參考，如需要進一步了解可以可以聯系我司，我司安裝專業工程師對接，聯系電話：0755-23063492